技术成熟度：实验室技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：技术特点：
本项目研究的碳化硅外延技术有其特殊性，不同于一般的半导体外延技术，
SiC 外延生长技术在生长温度、生长速率、缺陷和均匀性控制的具体指标要求以
及实现途径上都突出了电力系统应用的特点。目前，国际上已经形成了从碳化硅
衬底材料、外延材料到器件制备的一整套产业体系。高质量 SiC 外延材料是 SiC
功率器件的基础材料，目前的国内外电力电子器件需要的碳化硅外延材料的发展
趋势都是向大直径、低缺陷、高度均匀性等方向发展。
