技术成熟度：产业化技术
转让方式：技术转让
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上外延高性能 GaN 基电子材料，采用本技术研制的 GaN 基电子材料，生长速度快、材料质量好，重复性和均匀性高。采用该技术所研制的外延材料性能为国内领先、国际先进水平，部分指标参数为国际领先水平：外延材料方块电阻：270-400Ω/□之间可调；方块电阻片内不均匀性：优于 3%；室温二维电子气迁移率：大于 1800cm2/Vs；外延材料尺寸：2 英寸或 3 英寸，并可扩展到 4 英寸或更大尺寸。
