技术成熟度：实验室技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：与 GaN 基蓝光 LED 相比，紫外 LED 尤其是波长短于 300nm 的深紫外 LED 的研发更加困难。紫外 LED 在生化探测、杀菌消毒、无线通讯等领域都有重大应用价值，因此，尽管紫外 LED 的研究充满挑战性，但是它依然吸引了美、日等国家和地区的众多研究机构。
技术特点：
中国科学院半导体研究所突破了紫外 LED 的专用衬底、外延材料、芯片器件
及专用设备的全套核心制备技术，掌握了 250-400nm 波段的紫外 LED 制备技术，尤其在波长 300nm 以下的深紫外 LED 方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外 LED 器件，目前深紫外 LED 单管芯输出功率可达到超过 4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条件。