技术成熟度：产业化技术

转让方式：技术入股

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：垂直结构GaN基LED是目前半导体照明芯片的研究热点和未来可能应用于通
用照明的主流芯片结构。与传统正装、倒装结构比较，垂直结构通过热压键合、
激光剥离（LLO）等工艺，将 GaN 外延结构从蓝宝石转移到 Cu、Si 等具有良好电、热传导特性的衬底材料上，器件电极上下垂直分布，从而彻底解决了正装、倒装结构 GaN 基 LED 器件中因为电极平面分布、电流侧向注入导致的诸如散热，电流分布不均匀、可靠性等一系列问题。因此，垂直结构也被称为是继正装、倒装之后的第三代 GaN 基 LED 器件结构，很有可能取代现有的器件结构而成为 GaN 基LED 技术主流。
技术特点：
与正装 LED 相比，垂直结构 LED 技术有两方面优势：一方面其等尺寸的单颗
芯片工作电流密度可以高出至少一倍，相当于一颗垂直结构 LED 芯片可以抵两颗正装 LED 芯片；另一方面，在垂直结构 LED 芯片的工艺流程中，其剥离下来的蓝宝石衬底可以回收后重复利用多次，蓝宝石衬底单芯片和 2 英寸整片剥离成品率大于 95%。目前，垂直结构 LED 发光效率可以达到 121.57m/W @350mA。