技术成熟度：实验室技术
转让方式：技术转让
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：中科院半导体所研制的硅基电光调制器具有高光学带宽与高消光比的特点。
其光学带宽超过 40nm（覆盖整个 C 波段），电光带宽大于 40GHz，调制速率高达64Gbps（对应消光比大于 10dB），自主研发的耦合技术可以实现芯片与光纤的高效率耦合，优越的综合性能使得其完全能够替代传统铌酸锂电光调制器。
技术成熟度：实验室技术
转让方式：技术转让
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：中科院半导体所研制的硅基电光调制器具有高光学带宽与高消光比的特点。
其光学带宽超过 40nm（覆盖整个 C 波段），电光带宽大于 40GHz，调制速率高达64Gbps（对应消光比大于 10dB），自主研发的耦合技术可以实现芯片与光纤的高效率耦合，优越的综合性能使得其完全能够替代传统铌酸锂电光调制器。
