技术成熟度：中试技术
转让方式：技术转让
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：技术特点：
基于硅基材料的光互联技术具体有高速高密度、受电磁干扰小、低功耗，兼
容于 CMOS 工艺等特点。
1、在激光器研制方面，拥有基于 InP 基的微钠尺度微腔激光器和光子晶体
激光器以及基于硅基的光发射器件；
2、在光调制器研制方面拥有基于硅基的光调制器；
3、在探测器方面，拥有通过键合方式集成在 Si 上的 InP 基探测器和直接在
硅上外延锗或 GeSn 的探测器等；
4、拥有基于硅基的光波导器件、硅基波分复用解复用器件以及可见光衰减
器
