技术成熟度：实验室技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：50万以下

成果简述：高功率、高光束质量、高效率是未来半导体激光器发展方向。半导体所是长
期从事光子晶体激光器研究，目前在传统半导体激光器中引入光子晶体结构，利
用光子晶体调控机制，将单芯片激光输出的垂直和水平发散角从 40 度×10 度降到 6.5 度×7.1 度以下，从芯片层次改善光束质量，简化整形，且与批量生产技术兼容。该技术可广泛用激光引信、激光测距、激光制导、光纤激光器和固态激光器的泵浦光源，可推动半导体激光器在诸多领域的直接应用，具有重大应用前景和市场潜力。波长范围 905-1064nm、水平、垂直发散
角<10 度；直流输出功率>5W;窄脉冲输出功率>20W;光子晶体激光器模块窄脉冲输出功率>130W；并与传统半导体激光器工艺相兼容。
此外还开展了 808nm、980nm 和 1064nm 等波段光子晶体激光器研究。“先进半导体光子晶体激光器技术研究”获得 2013 年度北京市科学技术奖二等奖，光子晶体高功率高亮度激光器被评为“2014 中国光学重要成果”。