技术成熟度：实验室技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：50万以下

成果简述：目前，2 微米波段激光器有源区材料主要采用 GaSb 基量子阱和 InP 基量子
阱结构。GaSb 基量子阱材料因其生长结构复杂，含 Sb 的四元甚至五元系化合物生长及界面难以控制，特别是采用适合大规模生产应用的金属有机化学气相沉积法（MOCVD）更难实现高质量多元锑化物的生长。相比较，InP 基 In(Ga)As 量子阱在材料制备及器件工艺制作方面具有诸多优势。除了具有高质量，低成本的衬底材料，InP 基激光器因其兼容传统通讯用激光器的成熟工艺，且易与其它器件实现集成等优势而具有更好的工业应用前景。我们拥有采用 MOCVD 制备大格失配 In(Ga)As/InP 量子阱外延芯片、半导体激光器工艺制作以及器件测试封装的全套技术。我们制备的激光器外延芯片波长可精确调控，其面内波长不均匀性低至±3nm，相应的激光器件性能指达到国内先进水平。