技术成熟度：产业化技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：项目概况：
InP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜视、大气监测、国防技术等。 主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化镓（GaSb）和砷化铟（InAss）单晶生长和晶片加工技术。
技术成熟度：产业化技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：项目概况：
InP、GaSb 单晶片主要作为衬底材料外延生长各种微波器件用微结构外延材料（如 HEMT、HBT）、大功率激光器等的多量子阱材料，中长波红外探测器材料等， 其主要应用领域包括移动通信、卫星通信、导航、光纤通信、高效太阳能电池、夜视、大气监测、国防技术等。 主要技术：2-4 英寸化合物半导体磷化铟(InP)、锑化镓（GaSb）和砷化铟（InAss）单晶生长和晶片加工技术。
