技术成熟度：产业化技术

转让方式：技术入股

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况：
氮化镓（GaN）基电子材料是发展新一代 GaN 基微波功率器件和电力电子器件的基础，处于信息产业链的高端，是各国竞相占领的新一代战略高技术制高点，也是推动和发展我国新一代信息产业的重要机遇。中科院半导体所是国内最早开展 GaN 基电子材料研发的单位，并一直在该领域起着引领、示范和带动作用。经过尽二十年的自主创新，攻克了 2 英寸和 3 英寸蓝宝石、碳化硅和硅衬底上 GaN 基电子材料外延生长的关键科学技术问题，在高阻 GaN 外延材料、高迁移率 GaN 外延材料、高迁移率 AlGaN/GaN异质结结构材料等方面形成了系统的自主知识产权，设计并研制出了多种具有特色的 AlGaN/GaN 异质结构电子材料，并实现了批量供片。所研制的材料非常适于研制生产高频、大功率 GaN 基功率器件、单片集成电路和电力电子器件，可广泛应用于手机基站、航空航天、卫星通信、雷达、智能电网、电动汽车、高速列车等领域，具有重大应用前景和市场潜力。
技术特点：
该技术是采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）方法，在蓝宝石、碳化硅或者硅衬底上外延高性能 GaN 基电子材料，采用本技术研制的 GaN 基电子材料，生长速度快、材料质量好，重复性和均匀性高。采用该技术所研 制的外延材料性能为国内领先、国际先进水平，部分指标参数为国际领先水平： 外延材料方块电阻：270-400Ω/□之间可调； 方块电阻片内不均匀性：优于 3%； 室温二维电子气迁移率：大于 1800cm2/Vs； 外延材料尺寸：2 英寸或 3 英寸，并可扩展到 4 英寸或更大尺寸。