技术成熟度：中试技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：技术特点：
这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化
发光二极管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体
积，全角度发光特性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学
性能更好的控制，并具有简单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本
降低 30%左右，发光效率与传统封装相当。
技术成熟度：中试技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：技术特点：
这项封装技术是利用芯片本身的衬底和封装材料作为封装基板，简化
发光二极管的工艺路径，降低全工艺成本，提供最小的发光二极管封装体
积，全角度发光特性，降低器件封装热阻，实现对发光二极管电学和光学
性能更好的控制，并具有简单、成本低等优点。与传统工艺封装相比成本
降低 30%左右，发光效率与传统封装相当。
