技术成熟度：实验室技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：50万以下
成果简述：真空电弧离子镀是将镀膜材料作为靶极，借助触发装置使靶表面产生弧光放电，膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上。设备可根据用户要求配置多个小多弧源、大面积矩形电弧源或旋转柱状磁控电弧源，以实现多层复合膜及梯度功能膜的制备。偏压电源采用最新直流脉冲叠加式开关型偏压电源，可实现低温沉积（～200℃），大大扩大了镀膜工艺的应用范围，并且使膜层质量以及膜与基体的结合
强度大大提高。
技术成熟度：实验室技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：50万以下
成果简述：真空电弧离子镀是将镀膜材料作为靶极，借助触发装置使靶表面产生弧光放电，膜材料在电弧作用下，产生无熔池蒸发并沉积在基片上。设备可根据用户要求配置多个小多弧源、大面积矩形电弧源或旋转柱状磁控电弧源，以实现多层复合膜及梯度功能膜的制备。偏压电源采用最新直流脉冲叠加式开关型偏压电源，可实现低温沉积（～200℃），大大扩大了镀膜工艺的应用范围，并且使膜层质量以及膜与基体的结合
强度大大提高。
