技术成熟度：中试技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：500-1000万元

成果简述：概况：
高功率、高光束质量、高效率是未来半导体激光器发展方向。半导体
所是长期从事光子晶体激光器研究，目前在传统半导体激光器中引入光子
晶体结构，利用光子晶体调控机制，将单芯片激光输出的垂直和水平发散
角从 40 度×10 度降到 6.5 度×7.1 度以下，从芯片层次改善光束质量，简
化整形，且与批量生产技术兼容。该技术可广泛用激光引信、激光测距、
激光制导、光纤激光器和固态激光器的泵浦光源，可推动半导体激光器在
诸多领域的直接应用，具有重大应用前景和市场潜力。
技术特点：
我们研制的激光器主要特点如下：波长范围 905-1064nm、水平、垂直
发散角<10 度；直流输出功率>5W;窄脉冲输出功率>20W;光子晶体激光器模
块窄脉冲输出功率>130W；并与传统半导体激光器工艺相兼容。
产业化所需条件： 为建成月产 50 万瓦的高光束质量光子晶体半导体激光器的生产能力，企业需要设备投资 6500 万元，每年的运转费为 2000 万元。 金属有机物化学气相淀积系统（MOCVD）：设备价格约 1000 万元/台，每台需要 60m2 超净室，另需配套液氮气房。 完整的工艺加工生产线：激光器材料测试分析、清洗，光刻、刻蚀、溅射、蒸发、减薄、镀膜、合金、解理等工艺过程需要一条完整工艺线，设备总价值越 5000 万元，需要千级至万级超净工艺间约 1000 m2。 器件封装和测试系统：激光器管芯封装、测试。及老化系统，共需要500 万元，厂房面积 1200m2。