技术成熟度：产业化技术
转让方式：技术转让
预计投资资金(万元)：1000万以上
成果简述：技术特点：
1、发光效率：136.9lm/W @20mA；
2、随意切割：一种版图可以提供多种电压规格的芯片，便于应用端灵活
设计驱动电路和光通量，同时降低芯片制造成本；
3、与传统的多芯片 COB 集成组件相比成本降低 10-15%；
4、多芯片串联，反向漏电小，反向击穿电压高；
5、与传统 1W@350mA 大功率芯片相比，光输出提高约 11%，电流扩展更均匀；
6、电流小，散热要求低，可靠性高，1000 小时光衰小于 2%；
7、电压高，几个高压 LED 串联后可直接达到市电电压水平，变压损耗小，
驱动设计简单。
