技术成熟度：中试技术

转让方式：技术入股

预计投资资金(万元)：500-1000万元

成果简述：应用领域：可用于高亮度 LED、电力电子以及先进雷达。
技术特点：
采用双室结构碳化硅晶体生长装置，与蓝宝石相比，碳化硅单晶更有利于制
作对散热要求高、面积较大的大功率 LED 器件。
性能指标：
研发了半绝缘和导电型 4H-SiC、6H-SiC 晶体，建成了年产 2 万片 3～4 英寸
SiC 中试生产线。
所处阶段：
已建成面积约 3500m2 全套 SiC“晶体生长—晶体加工—检测表征—清洗封
装”中试生产线，造就了一支高水平的碳化硅研发团队，成为我国拥有自主知识
产权的 SiC 晶体材料重要研发基地