技术成熟度：产业化技术
转让方式：技术入股
预计投资资金(万元)：500-1000万元
成果简述：随着光刻装备与技术的不断发展，大规模集成电路逐渐成为整个装备制造业的基础。光刻是大规模集成电路生产中最重要的工序之一，其中光刻胶是光刻技术中最基本、最必不可少的消耗材料。极紫外光刻（EUV光刻）被认为是下一代光刻的最佳候选方案，在不久的将来是解决下一代超高分辨光刻的最可能途径。EUV光刻胶是EUV光刻技术的一个重要组成部分，对于EUV光刻技术的市场化有着重大意义。EUV光刻需要在高真空条件下进行，为了保证所研制的光刻胶材料和光刻胶体系可以在EUV光刻设备上得到应用，需要研究高真空下光刻胶主体材料和各种辅助材料的挥发性能、在EUV光照条件下的分解及其气体释放性质。本项目建立了高真空挥发组份检测方法以及EUV光照下气体释放分析检测方法，研制了两套高真空下挥发组份的检测设备，分别对无光照条件下高真空时体系挥发组份的检测和在EUV光照条件下光刻胶体系分解释放气体组份的检测。
技术优势：
本项目研发的系列基于分子玻璃的极紫外光刻胶材料克服了传统的高分子光刻胶材料难以突破的光刻线边粗糙度（LER）的限制，并具有较高的灵敏度。研发了3种光刻胶主体材料并配制了4个光刻胶基础配方，利用上海光源和瑞士光源同步辐射EUV干涉光刻技术，实现了EUV刻线宽度小于20nm的光刻。线边粗糙度LER稳定地达到2-3nm，部分光刻图案的LER低于2nm。具有自主知识产权的EUV光刻胶的刻线宽度和灵敏度与国际先进水平相当，线边粗糙度好于国际先进水平，为进一步开展超高精细光刻奠定了材料基础。
