技术成熟度：实验室技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况：
本项目重点围绕氮化镓(GaN) LED用蓝宝石图形衬底（Patterned Sapphire Substrate，PSS）开展研究，突破2英寸蓝宝石图形衬底关键技术，开发出具有自主知识产权的蓝宝石图形衬底制备工艺，建成蓝宝石图形衬底的中试生产线，并通过与外延企业的合作，完成图形衬底的验证。
技术特点：
根据蓝宝石图形衬底行业国内外研究发展现状与趋势分析，综合考虑技术成熟度、可行性、及市场需求等因素，本项目采用干法刻蚀技术制备微米级图形衬底。采用步进式曝光系统实现图形转移，制备工艺技术简单可控，同时基于微米级图形衬底的氮化镓外延技术相对比较成熟，外延市场需求旺盛。制备出的蓝宝石图形衬底形貌、尺寸可控，均匀性、稳定性好，剖面平滑，易于MOCVD外延生长,满足外延市场对于蓝宝石图形衬底的要求。
市场分析：
目前蓝宝石图形衬底无规范标准，种类多，可用性以及质量，需要外延使用用户技术配合，对于未定型产品的市场可变因素多。我们将会在充分调研、评价市场前景的基础上，抓住机遇及早进入，使自己在同行中技术领先，方能立于不败之地。蓝宝石图形衬底是提高氮化镓蓝光二极管发光效率、制备高端半导体照明器件的重要技术途径，而且市场需求迫切，我们将加快研发进程，开拓技术和市场先机。
合作方式：
项目进行中将会以技术开发为主，择机与相关企业以技术转让或技术入股的方式进行合作。
产业化所需条件：
建设一条月产万片的生产线，所需设备资金约在一千万左右。