技术成熟度：中试技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况:
半导体激光器是光通信系统必不可少的核心光电子元器件，但目前国内光通信用半导体激光器芯片材料几乎完全依赖进口。中国科学院半导体研究所经过数年研究，掌握了半导体量子点激光器材料的核心外延技术，实现了低成本、低功耗、高性能的1.3微米半导体量子点激光器，激光器阈值电流仅为 8 mA，经过 25 km 光纤传输后仍能实现 10 Gpbs 调制信号的眼图张开，有望打破国外在此领域的芯片技术垄断，满足光纤到户建设对低成本半导体激光器的大量需求。
技术特点：
1.阈值电流低，功耗小
2.阈值电流和斜率效率的温度稳定性高
3.可以实现10 Gpbs高速直接调制
4.可以在价格低廉的大尺寸GaAs衬底材料上制备，有效压缩成本专利情况：
目前已拥有授权国家发明专利2项。
市场分析及应用情况：
随着光通信网络的普及，光纤到户系统基础建设中对低成本高性能半导体激光器的需求日益增加，但目前国内光通信用半导体激光器芯片材料几乎完全依赖进口。自主研发低成本、高性能半导体量子点激光器不仅可以打破国外在芯片技术方面的垄断，更有利于降低光纤到户建设的成本，使得更多的家庭可以享受到高速光网络带来的丰富多彩的生活。
合作方式：
技术开发、技术转让、技术服务、技术入股产业化所需条件：
专用生产型分子束外延设备（1000-1500万），800万启动资金，80平方米超净间。