技术成熟度：中试技术

转让方式：技术转让

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况：
经过半个世纪的发展，硅材料的优异特性已在微电子领域中发挥得淋漓尽致，创造了以IT为代表的新经济产业持续高速发展的奇迹。但是，随着COMS工艺特征尺寸的不断缩小，传统的电互联面临着量子限制和高能耗等问题，片上光互联技术是延伸摩尔定律的一个重要途径。另外，作为高性能计算机的心脏－中央处理器（CPU）的运算速度越来越快，而系统内高速率的数据通信已成为限制其性能发挥的主要瓶颈。利用光子作为片上，片间单元的传输载体，相比与电互联具有更高的传输速度，并且可以有效降低信息的传输能耗，的研究意义和经济价值。光调制器、激光器、探测器、波导以及波分复用解复用器件是光互联技术中的重要单元器件，针对这些器件和光互联技术要求的微钠光电子器件及其集成技术半导体所都有很好的工作积累。
技术特点：
基于硅基材料的光互联技术具体有高速高密度、受电磁干扰小、低功耗，兼容于CMOS 工艺等特点。
1、在激光器研制方面，拥有基于InP基的微钠尺度微腔激光器和光子晶体激光器以及基于硅基的光发射器件；
2、在光调制器研制方面拥有基于硅基的光调制器；
3、在探测器方面，拥有通过键合方式集成在Si上的InP基探测器和直接在硅上外延锗或GeSn的探测器等；
4、拥有基于硅基的光波导器件、硅基波分复用解复用器件以及可见光衰减器。 专利情况：
在光互联技术方面半导体所有30余项专利，涵盖了从激光器、光调制器、波导、探测器、波分复用解复用等方面，拥有较完备的技术链。
市场应用：
片上、片间光互联技术主要应用于高性能电子芯片、超级计算机以及大型的数据中心等，市场前景非常广阔。