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高功率太赫兹半导体激光器

2018/10/16 15:32:44

技术成熟度:中试技术

转让方式:技术转让

预计投资资金(万元):1000万以上

成果简述:概况:
太赫兹(THz)波介于中红外和微波之间,是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低(1 THz对应的能量大约4 meV),穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏,在应用到对生物组织的活体检验时,比X光更具优势。它的波长比微波短,能够被用于更高分辨率成像。THz激光光源在分子指纹探测、诊断成像、安全反恐、宽带通讯、天文研究等方面具有重大的科学价值和广阔的应用前景。中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室经过多年的基础研究和技术发,目前形成系列太赫兹量光器产品。
技术特点:具有结构紧凑、功率高、易调谐等特点。
频率覆盖2.9~3.3 THz,工作温度10~90 K,功率5~120mW。
专利情况:
中科院半导体所在THz量子级联激光器的应有基础研究方面拥有多项发明专利,从材料设计、材料生长、器件研制等各个环节,拥有完备的技术链。
市场分析及应用情况:
目前国际上已开始研发基于THz量子级联激光器的无线通讯、太赫兹成像、太赫兹雷达等技术,广泛应用于军事和民事目的,如:自由空间通信、安全检查、药品监测、邮件包裹中的爆炸物远程化学指纹传感、人体非破坏性癌症检查等。我国在THz光源方面已取得突破,基于THz量子级联激光器的应用产品开发市场前景广阔。
产业化所需条件:(企业提供厂房、基础建设、资金和人员配合等)
企业提供500平米的超净工艺线厂房、300-500平米的技术开发厂房、材料生长
设备、工艺设备。

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