技术成熟度：中试技术

转让方式：技术入股

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况：
与GaN 基蓝光LED 相比，目前紫外LED 、尤其是波长短于300nm 的深紫外LED 的研发更加困难。紫外LED在生化探测、杀菌消毒、无线通讯等领域都有重大应用价值，因此，尽管紫外LED的研究充满挑战性，但是它依然吸引了美、日等国家和地区的众多研究机构。
技术特点：
中国科学院半导体研究所突破了紫外LED的专用衬底、外延材料、芯片器件及专用设备的全套核心制备技术，掌握了250-400nm波段的紫外LED制备技术，尤其在波长300nm 以下的深紫外LED方面掌握独特的国际先进技术，率先研制出国内首支毫瓦级深紫外LED 器件，目前深紫外LED单管芯输出功率可达到超过4 mW，达到了可实用化水平。相关核心技术在照明中心的产业化设备平台上进行了充分验证，具备了产业化转移的能力和条件。
目前国际上在深紫外领域的专利布局还并未充分展开，主要是氮化镓蓝光LED的专利技术延伸，现有紫外技术专利以美国、日本居多，中国科学院半导体照明研发中心在紫外 LED 的材料和器件方面已申请了 12 项关键专利，预计近一两年内将会进一步申请 10 多项核心专利，掌握专利布局主动权。
市场分析：
深紫外LED在杀菌消毒、医疗卫生、生物探测、安全通讯、白光照明等诸多领域有着广阔的市场前景，潜在市场规模可达数十亿美元。相比于目前传统紫外光源汞灯而言，不存在汞污染的环境问题，更加符合当今绿色环保的产业发展趋势，而且具备小巧轻便、低压低耗、易于调谐等优点。目前在杀菌消毒方面已有相关产品和市场应用，在医疗、生物、环境等领域的应用目前正在拓展中。