技术成熟度：产业化技术

转让方式：技术入股

预计投资资金(万元)：1000万以上

成果简述：概况：
垂直结构GaN基LED是目前半导体照明芯片的研究热点和未来可能应用于通用照明芯片的主流芯片结构。与传统正装、倒装结构相比较，垂直结构通过热压键合、激光剥离（LLO）等工艺，将GaN外延结构从蓝宝石转移到cu、si等具有良好电、热传导性的衬底材料上，器件电极上下垂直分布，从而彻底解决了正装、倒装结构GaN基LED器件中因为电极分布不均匀、可靠性等一系列问题。因此垂直结构也被称为是继正装、倒装之后的第三代 GaN 基 LED 器件结构，很有可能取代现有的器件结构而成为GaN 基 LED主流。
技术特点：
1.发光效率：121.57m/w@350Ma
2.光衰<4％@350mA,1000小时，<5％@1000mA,1500小时
3.提高芯片的产出：单电极比双电极芯片的产出率提高了100%以上。（一般双电极台面结构2英寸外延片可以制备2万只芯片标准芯片，单电极可以产出4万只。）
4.蓝宝石衬底单芯片和2英寸整片剥离成品率大于95%
5.剥离蓝宝石衬底可以重复利用，降低外延成本的20%以上
6.与传统正装结构LED相比，大注入电流下优势明显，瞬态饱和电流大于4A，单颗管芯光输出提高1.5 倍以上。
7.器件低热阻低于2.5k/W，与传统结构热阻比较降低50%—70%